闻泰科技3月9日晚发布公告称，公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，简称“IGBT”）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求。
闻泰科技3月9日晚发布公告称，公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称“IGBT”）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求。
闻泰科技介绍，IGBT是电源转换的核心器件，也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快、载流密度大等特点，并拥有广泛的应用市场，主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、智能电网、大功率电源、工业控制、家电产品等领域。其市场空间大、技术壁垒高且注重工程师经验和品牌口碑积累，是半导体里的优质赛道。
闻泰科技表示，IGBT流片成功后，仍需经过客户验证，后续量产计划具有不确定性。目前公司生产经营正常，各项业务有序开展，公司将视相关产品及项目的进展情况持续履行信披义务。
来源：中国证券报·中证网 作者：倪伟
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