2纳米工艺技术展开全球竞争 台积电计划2025年量产

6月17日，台积电宣布，首次推出N2(2纳米)工艺技术，预计2025年量产。这也是台积电首次使用纳米片晶体管结构的工艺技术。业内人士表示，工艺技术节点越小，往往芯片性能越高。但极高的技术门槛和资金门槛让众多半导体企业望而却步。三星电子和英特尔是台积电最为有力的竞争者。

2纳米工艺技术展开全球竞争

在台积电2022年北美技术研讨会上，多项最新技术成果吸引全球目光。

先进逻辑技术方面，台积电首次推出2纳米工艺技术。N2技术(2纳米)在N3技术基础上有明显进步，在相同功率下速度可提高10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%。台积电N2技术采用纳米片晶体管架构，在性能和功率效率方面提供全节点改进，帮助客户实现下一代产品创新。

研讨会上，台积电表示，将在未来几年推出四种N3增强版工艺技术——N3E、N3P、N3S和N3X，旨在为超高性能应用提供改进的工艺窗口、更高的性能。

值得注意的是，台积电为计划今年晚些时候量产的N3技术加了一把火，在此次研讨会上推出独特的TSMC FINFLE技术，将其“三纳米家族”技术的效能、功率效率以及密度进一步提升。

另外，台积电表示，正在开发N6e技术。N6e建立在7纳米工艺技术基础上，将作为台积电超低功耗平台的一部分。